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分立半导体
SI2312CDS-T1-GE3参考图片

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SI2312CDS-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 20V Vds 8V Vgs SOT-23
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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.6329
26.329
100
¥1.9549
195.49
500
¥1.6159
807.95
1,000
¥1.243
1243
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
31.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
24 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
SI2312CDS-GE3 SI7621DN-T1-GE3
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，SI2312CDS-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
K1V22-7061
Shindengen
分立半导体
高压触发二极管 SIDAC K1V series (Bi-directional)
2,500:¥7.7631
5,000:¥6.7574
10,000:¥6.5879
参考库存:32714
S25DR
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
整流器 200V 25A REV Leads Std. Recovery
500:¥37.8098
1,000:¥32.883
2,500:¥31.6626
参考库存:32717
TS10P03GHD2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 10A, 200V, SIL BRIDGE RECTIFIER
1,200:¥5.1867
2,400:¥4.7008
4,800:¥4.5991
9,600:¥4.2149
参考库存:32720
CLL5244B
Central Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 500mW Zener Diode 14V 600Ohm 10Vr
17,500:¥0.36838
25,000:¥0.34578
参考库存:32723
TS6P01G D2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 6A, 50V, SIL BRIDGE RECTIFIER
1,200:¥4.3844
2,400:¥4.2827
参考库存:32726
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