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分立半导体
MRF6V12250HR5参考图片

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MRF6V12250HR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780H
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数量单价合计
1
¥1,834.4759
1834.4759
5
¥1,795.7508
8978.754
10
¥1,756.9466
17569.466
50
¥1,756.9466
87847.33
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
110 V
增益
20.3 dB
输出功率
27.5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
0.96 GHz to 1.215 GHz
系列
MRF6V12250H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
零件号别名
935310098178
单位重量
6.425 g
商品其它信息
优势价格,MRF6V12250HR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
分立半导体模块 160A,1600V,Glass passivated three phase rectifier bridge,M5 Package
60:¥268.94
120:¥258.1824
300:¥255.493
参考库存:20695
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3A,30V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
15,000:¥0.80682
参考库存:20698
分立半导体
整流器 1A, 150V, SUPER FAST SM RECTIFIER
20,000:¥0.68365
50,000:¥0.60681
100,000:¥0.56839
参考库存:20701
分立半导体
整流器 1A,600V, GP HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER
15,000:¥0.69947
22,500:¥0.63054
45,000:¥0.56048
97,500:¥0.52206
参考库存:20704
分立半导体
整流器 3A, 50V, SUPER FAST SM RECTIFIER
6,000:¥1.3334
参考库存:20707
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