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分立半导体
SI9933CDY-T1-GE3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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SI9933CDY-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 12V Vgs SO-8
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库存:35,922(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥3.9211
39.211
100
¥2.9832
298.32
500
¥2.4634
1231.7
1,000
¥1.9662
1966.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
58 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
SI9
晶体管类型
2 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
21 ns
零件号别名
SI9933CDY-GE3
单位重量
187 mg
商品其它信息
优势价格,SI9933CDY-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 5.0 Amp 600 Volt
1:¥21.357
10:¥18.2156
100:¥15.7522
250:¥14.9838
参考库存:6451
分立半导体
MOSFET P-Ch 100 Volt 5.2A
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
2,500:¥4.6104
参考库存:57612
分立半导体
MOSFET MOSFT 55V 56A 16mOhm 70nC
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4806
500:¥6.6105
1,000:¥5.2206
参考库存:9581
分立半导体
MOSFET N-Ch 500 Volt 4.4 A Zener SuperMESH
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.7574
500:¥5.9777
参考库存:7747
分立半导体
MOSFET FET 80V 8.2 MOHM PQFN
1:¥21.2101
10:¥18.0574
100:¥15.6731
250:¥14.8256
3,000:¥10.6785
参考库存:5260
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