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分立半导体
SQJ479EP-T1_GE3参考图片

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SQJ479EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存:41,225(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.9101
9.9101
10
¥8.7575
87.575
100
¥7.119
711.9
500
¥5.5822
2791.1
3,000
¥4.0454
12136.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
32 A
Rds On-漏源导通电阻
33 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
90 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SQJ479EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.3337
500:¥6.4862
1,000:¥5.1189
2,000:¥5.1189
参考库存:42334
分立半导体
整流器 Rectifier 0.4A Io SOT-25T 600VVrm
1:¥3.616
10:¥2.5312
100:¥1.1639
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.76049
参考库存:7180
分立半导体
MOSFET 20V -100V P-CH FET 480mOhms 18nC
1:¥5.763
10:¥4.8364
100:¥3.1188
1,000:¥2.4973
2,000:¥2.4973
参考库存:28229
分立半导体
MOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8478
500:¥6.0455
3,000:¥4.2375
9,000:查看
参考库存:7093
分立半导体
MOSFET N-Channel PwrTrench
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2207
500:¥6.3845
1,000:¥5.0398
2,500:¥5.0398
参考库存:10144
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