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分立半导体
CXT5551HC TR参考图片

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CXT5551HC TR

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 180Vcbo 160Vceo 6.0V 1.0A 1.2W
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1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.9154
29.154
100
¥1.8419
184.19
1,000
¥1.3786
1378.6
2,000
¥1.1752
2350.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
160 V
集电极—基极电压 VCBO
180 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.2 V
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
CXT5551HC
直流电流增益 hFE 最大值
250 at 10 mA, 5 V
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
30 at 50 mA, 5 V
Pd-功率耗散
1.2 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
CXT5551HC PBFREE TR
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥3.1753
100:¥1.9323
1,000:¥1.5029
4,000:¥1.2769
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RJH1CM6DPQ-E0#T2
Renesas Electronics
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1:¥49.0194
10:¥43.7988
25:¥39.4144
50:¥37.6516
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