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分立半导体
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PTAB182002FC-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
250
¥714.0696
178517.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
增益
15.5 dB
输出功率
190 W
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTAB182002FC-V1-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZPY47-TAP
Vishay Semiconductors
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BZX584C36-V-G-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管
1:¥3.2318
10:¥1.7741
100:¥0.95259
500:¥0.76049
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AZ23C6V2-G3-18
Vishay
分立半导体
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1:¥2.8476
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10,000:¥0.35369
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参考库存:27467
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