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分立半导体
PTFB213004F-V2-R0参考图片

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PTFB213004F-V2-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
50
¥1,097.7385
54886.925
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
增益
18 dB
输出功率
300 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275-6/2
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2170 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTFB213004F-V2-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 Fast Recovery Epitaxial Diode - D
1:¥53.4038
10:¥48.025
25:¥43.7197
100:¥39.4935
参考库存:3364
分立半导体
稳压二极管 Diode Zener 47.0V 200mW 5%
1:¥1.6159
10:¥1.07576
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:23930
分立半导体
稳压二极管 250mW 2.4V Zener
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:6419
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥3.5369
10:¥2.26
100:¥0.96841
1,000:¥0.7458
2,000:¥0.56839
参考库存:14229
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE
1:¥2.147
10:¥1.4351
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
8,000:¥0.27685
24,000:查看
参考库存:21636
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