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分立半导体

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APTGT50DU120TG

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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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数量单价合计
100
¥500.6126
50061.26
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
277 W
封装 / 箱体
SP4
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGT50DU120TG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V 1A NPN/NPN
1:¥3.6838
10:¥3.0397
100:¥1.8532
1,000:¥1.4238
3,000:¥1.2204
参考库存:4155
分立半导体
JFET 50V Current Reg 50mA 360mW 0.75 If
1:¥93.4397
10:¥76.614
100:¥63.5512
500:¥57.9351
参考库存:47756
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
1:¥12.0684
10:¥10.2152
100:¥8.2264
500:¥7.1981
参考库存:3978
分立半导体
肖特基二极管与整流器 4A,40V,SM Schottky Rect
1:¥3.842
10:¥2.9719
100:¥2.2035
500:¥1.808
3,200:¥1.2769
6,400:查看
参考库存:6154
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V 1A NPN/PNP
1:¥3.6838
10:¥3.0397
100:¥1.8532
1,000:¥1.4238
3,000:¥1.2204
参考库存:5248
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