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分立半导体
SIHH11N65EF-T1-GE3参考图片

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SIHH11N65EF-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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3,000
¥16.2946
48883.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-8x8-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
332 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
130 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
1 mm
长度
8 mm
系列
EF
宽度
8 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
43 ns
典型接通延迟时间
19 ns
商品其它信息
优势价格，SIHH11N65EF-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC55-10PASX
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45V/60V/80V 1A NPN medium power trans
3,000:¥0.63732
9,000:¥0.58421
24,000:¥0.54579
45,000:¥0.49155
99,000:¥0.46895
参考库存:25282
A2G22S160-01SR3
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250:¥864.9133
参考库存:25285
2N3867
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
500:¥55.935
1,000:¥53.8671
参考库存:25288
VT10200C-M3/4W
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10A, 200V,TRENCH SKY RECT.
3,000:¥4.5087
参考库存:25291
FDB2532-F085
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分立半导体
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
800:¥18.984
2,400:¥17.9783
4,800:¥17.289
参考库存:25294
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