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分立半导体
APTGTQ100H65T3G参考图片

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APTGTQ100H65T3G

  • Microsemi
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库存:35,890(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥609.183
60918.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
技术
-
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Quad
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
240 nA
Pd-功率耗散
250 W
封装 / 箱体
SP3F
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGTQ100H65T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIHG47N60EF-GE3
1:¥76.4558
10:¥68.7718
25:¥62.7037
100:¥56.5565
参考库存:4428
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky
3,000:¥5.3788
6,000:¥5.1754
9,000:¥4.7912
参考库存:26090
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥6.328
4,500:¥6.102
9,000:¥5.8647
参考库存:26093
分立半导体
整流器 Hypfst Rct 2x2A 100V AEC-Q101
6,500:¥1.7854
13,000:¥1.7176
19,500:¥1.6498
参考库存:26096
分立半导体
变容二极管 .2pF .12uH Diode
50:¥385.4317
参考库存:26099
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