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分立半导体
SIHH21N65E-T1-GE3参考图片

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SIHH21N65E-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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数量单价合计
3,000
¥24.2837
72851.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-8x8-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
20.3 A
Rds On-漏源导通电阻
148 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
66 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
1 mm
长度
8 mm
系列
EF
宽度
8 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
44 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
69 ns
典型接通延迟时间
26 ns
单位重量
50 mg
商品其它信息
优势价格，SIHH21N65E-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1SV310TPH3F
Toshiba
分立半导体
变容二极管 10V C1=9.7-11.1pF
1:¥3.7629
10:¥2.1809
100:¥1.02943
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.66105
参考库存:7801
DA3X101F0L
Panasonic
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 SWITCH DIODE GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥1.695
10:¥1.12209
100:¥0.52206
500:¥0.40002
3,000:¥0.23843
9,000:查看
参考库存:34350
BZV55-C3V6,115
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 500MW 3.6V
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
2,500:¥0.23052
参考库存:11026
VS-40HF160
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1600 Volt 40 Amp
1:¥78.2186
10:¥70.3877
50:¥64.1614
100:¥57.9351
参考库存:3413
TK11A65W,S5X
Toshiba
分立半导体
MOSFET MOSFET NChannel 0.33ohm DTMOS
1:¥15.8313
10:¥12.7577
100:¥10.2152
500:¥8.9948
参考库存:3679
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