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分立半导体
SIRA60DP-T1-RE3参考图片

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SIRA60DP-T1-RE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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数量单价合计
1
¥11.4469
11.4469
10
¥9.4468
94.468
100
¥7.2659
726.59
500
¥6.2602
3130.1
3,000
¥4.6104
13831.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
780 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 16 V
Qg-栅极电荷
125 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
57 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Reel
系列
SIR
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
100 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SIRA60DP-T1-RE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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100:¥243.5037
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参考库存:27589
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250:¥142.2331
500:¥135.3175
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100:¥245.888
250:¥225.6836
参考库存:27598
分立半导体
稳压二极管
100:¥269.4033
250:¥251.425
参考库存:27601
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