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分立半导体
PSMN8R5-108ES参考图片

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PSMN8R5-108ES

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET N-Channel 100V 8.5mohm Fet
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
108 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
8.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
4.4 V
Qg-栅极电荷
111 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
263 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Nexperia
下降时间
43 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
87 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格，PSMN8R5-108ES的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N1353
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50:¥18.6676
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