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分立半导体
SIHH21N60EF-T1-GE3参考图片

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SIHH21N60EF-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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库存:33,614(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥21.357
64071
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-8x8-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
153 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
55 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
1 mm
长度
8 mm
系列
EF
宽度
8 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
45 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
20 ns
商品其它信息
优势价格,SIHH21N60EF-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 60V 5A MEGA Schottky
1:¥4.7686
10:¥3.9324
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
5,000:¥1.7176
参考库存:27656
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-7
1:¥3.4578
10:¥2.9041
100:¥1.7741
1,000:¥1.3673
2,000:¥1.1639
参考库存:13733
分立半导体
MOSFET 650V 30A E-Mode GaN
1:¥180.2689
10:¥174.4268
25:¥166.3586
250:¥154.5275
参考库存:3226
分立半导体
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
2,500:¥3.729
10,000:¥3.5934
25,000:¥3.4804
参考库存:50527
分立半导体
MOSFET N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in DPAK package
1:¥14.2945
10:¥12.1362
100:¥9.6841
500:¥8.5315
2,500:¥6.5427
5,000:查看
参考库存:7202
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