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分立半导体

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APTGL90DSK120T3G

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库存:33,504(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥456.1245
45612.45
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.85 V
在25 C的连续集电极电流
110 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
385 W
封装 / 箱体
SP3-32
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APTGL90DSK120T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 4A, 400V SMC Ultar fast GP
1,700:¥1.5142
4,250:¥1.4577
参考库存:33034
分立半导体
稳压二极管 250mW 5% Tolerance
12,000:¥0.53788
24,000:¥0.49946
45,000:¥0.44522
99,000:¥0.43053
参考库存:33037
分立半导体
桥式整流器 10A, 800V, SIL BRIDGE RECTIFIER
1,200:¥5.1867
2,400:¥4.7008
4,800:¥4.5991
9,600:¥4.2149
参考库存:33040
分立半导体
桥式整流器 1.5A,50V,SMD GLASS PASSIVATED,DIP,SMD,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.
3,000:¥1.6272
参考库存:33043
分立半导体
整流器 1.5A, 100V, GLASS PASSIVATED SMA RECTIFIER
15,000:¥0.50737
22,500:¥0.45313
45,000:¥0.4068
97,500:¥0.37629
参考库存:33046
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