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分立半导体

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APTGT75SK120TG

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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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数量单价合计
100
¥449.3558
44935.58
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
110 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
357 W
封装 / 箱体
SP4
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGT75SK120TG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 30 Volt 19 Amp 5W
1:¥12.3735
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9834
3,000:¥6.9834
参考库存:10641
分立半导体
IGBT 模块 SLIMM Nano 3A 600V 3-Phase IGBT Bridge
1:¥60.3194
10:¥54.4773
25:¥51.9461
100:¥45.1096
参考库存:3248
分立半导体
桥式整流器 1600 Volt 90 Amp
1:¥530.2751
5:¥519.7435
10:¥498.0023
25:¥481.945
参考库存:2768
分立半导体
MOSFET N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected
1:¥14.2154
10:¥12.0684
100:¥9.6841
500:¥8.4524
参考库存:4755
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2X15 Amp 150 Volt
1:¥30.5778
10:¥25.9674
100:¥22.5096
250:¥21.357
参考库存:5015
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