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分立半导体
BSC009NE2LSXT参考图片

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BSC009NE2LSXT

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
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数量单价合计
5,000
¥6.0003
30001.5
10,000
¥5.763
57630
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
168 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
85 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
33 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
BSC009NE2LSATMA1 SP000893362
商品其它信息
优势价格,BSC009NE2LSXT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq. Amplification
1:¥1.921
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26103
参考库存:21958
分立半导体
MOSFET 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET
1:¥21.0519
10:¥17.8992
100:¥15.5262
250:¥14.7578
3,000:¥10.5994
6,000:查看
参考库存:6457
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Single High-speed switching
1:¥2.7685
10:¥1.7854
100:¥0.7458
1,000:¥0.50737
10,000:¥0.32996
20,000:查看
参考库存:14486
分立半导体
肖特基二极管与整流器 60V 2A
1:¥3.2996
10:¥2.5086
100:¥1.356
1,000:¥1.02152
5,000:¥0.87575
10,000:¥0.82264
参考库存:53421
分立半导体
肖特基二极管与整流器 8A, 45V,TRENCH SKY RECT.
1:¥4.9155
10:¥3.9437
100:¥2.9945
500:¥2.4747
1,000:¥1.9775
1,500:¥1.7967
参考库存:10990
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