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分立半导体

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APTGT300DH60G

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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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数量单价合计
100
¥992.7728
99277.28
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.4 V
在25 C的连续集电极电流
430 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
1.15 kW
封装 / 箱体
SP6
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格，APTGT300DH60G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN1N3028CUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
100:¥217.9205
250:¥200.01
参考库存:23935
UES1302SM/TR
Microsemi
分立半导体
整流器
100:¥246.6564
200:¥230.2149
参考库存:23938
2EZ82D2/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥12.3735
4,500:¥11.9102
参考库存:23941
JANTX1N5539CUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥252.7245
250:¥231.8986
参考库存:23944
JANTXV1N5539D-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥195.3996
250:¥179.3423
500:¥170.6639
参考库存:23947
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