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分立半导体
MG12300D-BN2MM参考图片

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MG12300D-BN2MM

  • Littelfuse
  • 新批次
  • IGBT 模块 1200V 300A Dual 150TVj
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库存:32,282(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,475.328
1475.328
5
¥1,436.908
7184.54
10
¥1,410.7824
14107.824
25
¥1,364.6784
34116.96
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Littelfuse
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
480 A
栅极—射极漏泄电流
400 uA
Pd-功率耗散
1450 W
封装 / 箱体
Package D
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Bulk
系列
Dual IGBT
商标
Littelfuse
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
60
子类别
IGBTs
单位重量
320 g
商品其它信息
优势价格,MG12300D-BN2MM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
JFET N-Ch -40V JFET 50mA 1.8W 12mW -100V Igss
1:¥91.6656
10:¥75.145
100:¥62.3986
500:¥56.8616
参考库存:36741
分立半导体
MOSFET CPU SUP WITH 16K EEPROM
3,000:¥5.7969
6,000:¥5.5822
9,000:¥5.3675
参考库存:4129
分立半导体
整流器 200mA 3000V
1:¥1.6159
4,000:¥1.2769
8,000:¥0.89157
12,000:¥0.63732
16,000:¥0.5989
参考库存:5025
分立半导体
整流器 D MET 6A SFST 100V HRV 6FFTV
1:¥209.8523
5:¥200.3942
10:¥194.1001
25:¥178.3479
参考库存:36748
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in Transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:36751
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