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分立半导体
PTAC210802FC-V1-R250参考图片

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PTAC210802FC-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
250
¥445.1296
111282.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms
增益
17.5 dB
输出功率
80 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 2170 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTAC210802FC-V1-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZT52B20S RR
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 410mW 2% 20V
1:¥1.8419
10:¥1.6159
100:¥0.91417
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.29154
参考库存:26354
BZT52B3V3S RR
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 410mW 2% 3V3
1:¥1.8419
10:¥1.6159
100:¥0.91417
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.29154
参考库存:26357
BZX84C3V0 RFG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener diode 3,0v, 350mW
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.80682
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.28476
参考库存:26360
BZT55B47 L1 G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 2% 47v
1:¥1.695
10:¥1.4577
100:¥0.83733
1,000:¥0.30736
2,500:¥0.29945
参考库存:26363
BZT55C39 L1G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 5% 39v
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥1.02943
1,000:¥0.34578
2,500:¥0.28476
参考库存:26366
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