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分立半导体
SIHB33N60ET5-GE3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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SIHB33N60ET5-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds E Series D2PAK TO-263
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库存:27,990(价格仅供参考)
数量单价合计
800
¥23.6622
18929.76
2,400
¥22.5096
54023.04
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
33 A
Rds On-漏源导通电阻
99 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
100 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
278 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
E
晶体管类型
MOSFET
商标
Vishay / Siliconix
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
99 ns
典型接通延迟时间
28 ns
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格,SIHB33N60ET5-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 3W,47V,5%,ZENER,SMB
1:¥4.7686
10:¥2.7685
100:¥2.2035
500:¥1.3108
3,000:¥0.87575
9,000:查看
参考库存:28322
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3A, 20V, AXIAL SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥4.2262
10:¥3.2996
100:¥2.2826
500:¥1.5707
1,250:¥1.1752
参考库存:28325
分立半导体
稳压二极管 1W, 200V, 5% ZENER DIODE
1:¥4.3844
10:¥3.1527
100:¥1.8419
1,000:¥0.77631
5,000:¥0.67574
参考库存:28328
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2A,60V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥4.3844
10:¥3.0736
100:¥2.034
500:¥1.2091
3,000:¥0.81473
9,000:查看
参考库存:28331
分立半导体
整流器 6A,600V,STD.GLASS PASSIVATED RECTIFIER
1:¥4.0002
10:¥3.3787
100:¥2.5312
500:¥1.8532
1,000:¥1.3899
2,000:¥1.2882
参考库存:28334
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