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VS-GB600AH120N

  • Vishay Semiconductors
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  • IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.9 V
在25 C的连续集电极电流
910 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
3.125 kW
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，VS-GB600AH120N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N4099UR/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥30.0467
237:¥30.0467
500:¥26.9731
1,000:¥22.7469
2,500:¥21.5943
参考库存:48907
JANTXV1N751C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥132.1648
109:¥132.1648
200:¥120.4806
500:¥112.7288
参考库存:48910
JAN1N964D-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥49.2567
159:¥49.2567
200:¥45.2565
500:¥41.2676
1,000:¥35.8888
参考库存:48913
CDLL4742/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥27.5833
258:¥27.5833
500:¥24.8148
1,000:¥20.905
2,500:¥19.8993
参考库存:48916
VS-ST230C12C2
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 410 Amp 1200 Volt 780 Amp IT(RMS)
12:¥497.8441
36:¥481.7868
60:¥475.4136
108:¥449.6722
参考库存:48919
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