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分立半导体
SIHD6N65ET5-GE3参考图片

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SIHD6N65ET5-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds E Series DPAK TO-252
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库存:27,430(价格仅供参考)
数量单价合计
2,000
¥5.4014
10802.8
4,000
¥5.198
20792
10,000
¥4.9946
49946
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
500 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
封装
Reel
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,SIHD6N65ET5-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 模块 1200V 400A DUAL HALF BRIDGE
1:¥1,217.1456
5:¥1,187.7882
10:¥1,158.363
25:¥1,142.0684
参考库存:4674
分立半导体
MOSFET N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥14.5205
500:¥12.7577
1,000:¥10.5994
参考库存:5148
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30V 6A 1W DFN2020-3S
1:¥5.2206
10:¥4.3392
100:¥2.8024
1,000:¥2.2374
3,000:¥1.8871
参考库存:10616
分立半导体
MOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2
1:¥21.5943
10:¥18.2834
100:¥14.6787
500:¥12.8368
1,000:¥10.5994
参考库存:9801
分立半导体
分立半导体模块 1200V Vdss; 358A ID SiC Mod; SICSTD02
1:¥5,859.05
5:¥5,765.3843
参考库存:4632
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