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分立半导体
SIHF22N65E-GE3参考图片

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SIHF22N65E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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库存:26,547(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥37.8098
37.8098
10
¥31.3462
313.462
100
¥25.8205
2582.05
250
¥24.973
6243.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
73 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.9 mm
长度
10.5 mm
系列
E
宽度
4.69 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
38 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
33 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
73 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SIHF22N65E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 SOT-23 3 SNGL CPR PBF
1:¥3.5369
10:¥2.4973
100:¥1.1413
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.75258
参考库存:12305
分立半导体
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W
3,000:¥3.4126
参考库存:33953
分立半导体
整流器 20 A 45 V SCHOTTKY DIODE
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.5201
500:¥5.7517
5,000:¥4.0341
10,000:查看
参考库存:33956
分立半导体
整流器 300 Volt 2x5A 35ns Dual Common Cathode
1:¥11.6051
10:¥9.5259
100:¥7.3563
500:¥6.328
参考库存:33959
分立半导体
整流器 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
1:¥4.068
10:¥2.8024
100:¥1.8984
500:¥1.5255
1,500:¥1.04525
4,500:查看
参考库存:33962
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