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分立半导体
SIHW47N65E-GE3参考图片

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SIHW47N65E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V 72mOhm@10V 47A N-Ch E-SRS
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库存:26,413(价格仅供参考)
数量单价合计
480
¥42.262
20285.76
960
¥38.4991
36959.136
1,440
¥33.5836
48360.384
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AD-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
47 A
Rds On-漏源导通电阻
72 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
182 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
417 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
103 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
87 ns
工厂包装数量
480
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
156 ns
典型接通延迟时间
47 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,SIHW47N65E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
PIN 二极管 Rs=4.9ohm Ct=.03pF HMIC Beamlead
100:¥42.036
参考库存:2947
分立半导体
稳压二极管 10 Volt 1.3 Watt 5%
1:¥2.9945
10:¥2.0001
100:¥0.97632
500:¥0.83733
5,000:¥0.43053
10,000:查看
参考库存:52073
分立半导体
MOSFET 70V P-Channel 5.7A MOSFET
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
2,500:¥2.825
参考库存:6630
分立半导体
PIN 二极管
1:¥120.8648
10:¥113.4181
25:¥106.5025
50:¥100.0502
参考库存:32600
分立半导体
整流器 1A 400V 40A@8.3ms Single Die Auto
1:¥3.7629
10:¥2.1018
100:¥1.12209
500:¥0.89948
7,500:¥0.46895
22,500:查看
参考库存:82043
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