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分立半导体
SIHP22N65E-GE3参考图片

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SIHP22N65E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
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库存：26,391(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥35.6515
35.6515
10
¥29.5834
295.834
100
¥24.3628
2436.28
250
¥23.5944
5898.6
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
73 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
227 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
E
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
38 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
33 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
73 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SIHP22N65E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STU5NK50Z
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-channel 500 V, 1.22 typ., 4.4 A SuperMESH Power MOSFETs in I PAK, DPAK, TO 220, TO 220FP and IPAK packages
3,000:¥2.5425
12,000:¥2.4521
27,000:¥2.3617
参考库存:28640
1N5248BUR-1E3/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥24.5097
291:¥24.5097
500:¥21.9785
1,000:¥18.5207
2,500:¥17.5941
参考库存:28643
VS-16RIA120M
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR Thyristors - TO48 BRAZ SQR-e3
100:¥129.9387
300:¥118.4127
500:¥110.8078
参考库存:28646
1N5991CE3/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥31.0411
230:¥31.0411
500:¥27.8206
1,000:¥23.5153
2,500:¥22.2836
参考库存:28649
1N647-1E3
Microsemi
分立半导体
整流器
1:¥23.6622
10:¥19.0518
100:¥17.3681
250:¥15.6731
参考库存:28652
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