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分立半导体
SIHP22N60EL-GE3参考图片

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SIHP22N60EL-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
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数量单价合计
1,000
¥16.0573
16057.3
2,000
¥15.2889
30577.8
5,000
¥14.6787
73393.5
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
57 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
227 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
产品
Triacs
系列
EL
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
66 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，SIHP22N60EL-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2EZ17DE3/TR12
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥5.0059
8,000:¥4.8251
参考库存:28488
DMC1229UFDB-13
Diodes Incorporated
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MOSFET Comp ENH Mode FET 12V Vdss 8V VGss
10,000:¥1.1639
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VB40M120C-E3/4W
Vishay Semiconductors
分立半导体
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2,000:¥7.9891
3,000:¥7.4354
5,000:¥7.1529
10,000:¥6.8817
参考库存:28493
SD2931-15W
STMicroelectronics
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥494.3863
5:¥483.3236
10:¥464.4187
25:¥449.4349
参考库存:28496
1N5933PE3/TR12
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥5.0059
8,000:¥4.8251
参考库存:28499
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