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分立半导体
ZTX1147A参考图片

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ZTX1147A

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High Gain & Crnt
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数量单价合计
4,000
¥3.7064
14825.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 12 V
集电极—基极电压 VCBO
- 15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 175 mV
最大直流电集电极电流
4 A
增益带宽产品fT
115 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX1147
直流电流增益 hFE 最大值
270 at 10 mA, 2 V
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
封装
Bulk
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
270 at 10 mA, 2 V, 250 at 500 mA, 2 V, 200 at 2 A, 2 V, 170 at 4 A, 2 V, 90 at 10 A, 2 V
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格，ZTX1147A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SJ6012NRP
Littelfuse
分立半导体
SCR 12A High Temp Thyristor
1:¥16.2155
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.2208
1,000:¥7.571
参考库存:3770
DMP34M4SPS-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥8.1473
10:¥6.9721
100:¥5.3562
500:¥4.7347
1,000:¥3.7403
参考库存:6216
RFN3BM6SFHTL
ROHM Semiconductor
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 Fast Recvry 600V Vr TO-252(DPAK) 3A Io
1:¥6.3732
10:¥5.3223
100:¥3.4239
1,000:¥3.1414
2,500:¥2.8589
参考库存:5536
NVMFS5C430NLAFT1G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
1:¥11.4469
10:¥9.7632
100:¥7.5484
500:¥6.667
1,500:¥4.6669
9,000:查看
参考库存:4942
NVMFS5C404NLWFAFT1G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET T6 40V HEFET
1:¥27.7415
10:¥23.5944
100:¥20.4417
250:¥19.3682
1,500:¥14.6787
参考库存:8092
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