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分立半导体
SI8902AEDB-T2-E1参考图片

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SI8902AEDB-T2-E1

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6
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数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.198
51.98
100
¥3.955
395.5
500
¥3.2544
1627.2
1,000
¥2.6103
2610.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
MicroFoot-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
24 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
28 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
5.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
15 S
下降时间
12 us
产品类型
MOSFET
上升时间
3.5 us
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 us
典型接通延迟时间
1.5 us
商品其它信息
优势价格,SI8902AEDB-T2-E1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 35V 18A IF Single TO-220AC
1:¥11.6842
10:¥9.605
100:¥7.3563
500:¥6.328
参考库存:5194
分立半导体
稳压二极管 2.02-2.2V 500mW SOD-323HE 20mA
1:¥2.8476
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:6906
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PNP -50 VCEO -0.1A SOT-323
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:13188
分立半导体
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥10.6785
10:¥8.7575
100:¥6.7687
500:¥5.8195
1,000:¥4.5991
3,000:¥4.5991
参考库存:7670
分立半导体
稳压二极管 1000mW Pd SOD-128 PMDTM 9.1Vz(V) Min
1:¥2.9154
10:¥2.2035
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
参考库存:7060
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