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分立半导体
SIHD7N60ET5-GE3参考图片

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SIHD7N60ET5-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds E Series DPAK TO-252
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数量单价合计
3,000
¥5.9212
17763.6
6,000
¥5.7065
34239
9,000
¥5.4805
49324.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
E
晶体管类型
MOSFET
商标
Vishay / Siliconix
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，SIHD7N60ET5-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMSZ5228B-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 3.9 Volt 0.5W 5% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
3,000:¥0.37629
6,000:查看
参考库存:51010
MMBZ5255C-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 28 Volt 0.225W 2%
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
3,000:¥0.32318
6,000:查看
参考库存:51013
BZT52-B11X
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 BZT52-B11/SOD123/SOD2
1:¥1.7628
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
参考库存:51016
MMBZ5260B-G3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 43 Volt 0.225W 5%
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.66896
500:¥0.56839
3,000:¥0.33787
6,000:查看
参考库存:51019
MMBZ5226C-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 3.3 Volt 0.225W 2%
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:51022
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