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分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	15 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	80 mA
输出功率	7.2 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	8.9 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.3 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113799

商品其它信息

优势价格，TGF2933的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
1N6481-E3/97	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	整流器 400 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM	1:¥3.0736 10:¥2.147 100:¥1.4577 500:¥1.1639 5,000:¥0.75258 10,000:查看	参考库存:9959
RS1B-E3/5AT	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	整流器 100 Volt 1.0A 150ns 30 Amp IFSM	1:¥3.616 10:¥2.0453 100:¥1.09836 500:¥0.88366 7,500:¥0.51528	参考库存:9193
1N4748A-TR	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 22 Volt 1.3 Watt	1:¥2.2261 10:¥1.4803 100:¥0.72998 500:¥0.62263 5,000:¥0.32318 10,000:查看	参考库存:26113
SNSS20101JT1G	ON Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V NPN LOW VCE(SAT)	1:¥3.616 10:¥2.7233 100:¥1.4803 1,000:¥1.10627 3,000:¥0.95259	参考库存:8692
TZMC4V3-GS18	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 4.3 Volt 0.5 Watt 5%	1:¥1.6159 10:¥1.3899 100:¥0.59212 500:¥0.49155 10,000:¥0.2147 20,000:查看	参考库存:11478