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分立半导体
DMTH10H010SPSQ-13参考图片

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DMTH10H010SPSQ-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
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10
¥9.9892
99.892
100
¥7.9891
798.91
500
¥6.9947
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1,000
¥5.7969
5796.9
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参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
8.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
56.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
166 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMTH10H010
商标
Diodes Incorporated
下降时间
29.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
44.8 ns
典型接通延迟时间
18.6 ns
单位重量
97 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MBRF1645 C0
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10,000:¥3.0058
25,000:¥2.8928
参考库存:28017
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