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分立半导体
SIHFIB16N50K-E3参考图片

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SIHFIB16N50K-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V 6.7A 45W 350mohm @ 10V
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数量单价合计
1,000
¥22.4418
22441.8
3,000
¥21.357
64071
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
77 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
72 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
48 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
E
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
43 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
44 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
53 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SIHFIB16N50K-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN1N3043D-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥146.3011
200:¥134.244
500:¥127.7804
参考库存:32075
JANTXV1N4618C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥107.7342
134:¥107.7342
200:¥98.197
500:¥91.9029
1,000:¥84.298
参考库存:32078
JANTX2N3500L/TR
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥141.0805
250:¥129.4754
500:¥123.2491
参考库存:32081
JAN1N3018BUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥118.7178
200:¥108.2653
500:¥101.2706
参考库存:32084
3EZ7.5D/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥5.8195
4,500:¥5.6048
9,000:¥5.3788
参考库存:32087
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