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分立半导体
SIHU7N60E-E3参考图片

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SIHU7N60E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
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数量单价合计
3,000
¥6.9156
20746.8
6,000
¥6.6557
39934.2
9,000
¥6.3958
57562.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
609 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,SIHU7N60E-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 1600 Volt 3000 Amp
1:¥1,510.6744
5:¥1,474.3336
10:¥1,437.6764
25:¥1,417.5398
参考库存:41056
分立半导体
MOSFET Pwr MOSFET 40V 40A 6.7mOhm SGL N-CH
1,500:¥4.2488
9,000:¥4.0906
参考库存:41059
分立半导体
整流器 ENHANCED ULTRAFAST POWER DIODE
1:¥7.1416
10:¥5.7178
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
2,500:¥2.4973
参考库存:41062
分立半导体
MOSFET PTNG 80/20V IN 5X6CLIP
1:¥44.5672
10:¥37.8776
100:¥32.8152
250:¥31.1202
3,000:¥22.3627
参考库存:8394
分立半导体
双向可控硅 600V 8A 33/43V
1:¥19.7524
10:¥15.9104
100:¥12.6786
500:¥11.1418
1,000:¥9.2208
参考库存:41067
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