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分立半导体
SIHU7N60E-E3参考图片

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SIHU7N60E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
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数量单价合计
3,000
¥6.9156
20746.8
6,000
¥6.6557
39934.2
9,000
¥6.3958
57562.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
609 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，SIHU7N60E-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
S1FLB-GS18
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 GENPURP SWITCHING DIODESMFDO219ECO-e3
50,000:¥0.3616
参考库存:24571
SMBJ5368AE3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥4.3844
6,000:¥4.294
9,000:¥4.2149
参考库存:24574
1PMT4106CE3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
12,000:¥1.695
24,000:¥1.5933
48,000:¥1.5707
参考库存:24577
NE97733-T1-A
Renesas Electronics
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 PNP High Frequency
3,000:¥15.7522
6,000:¥15.2889
参考库存:24580
1N5407GP-E3/54
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 3A,800V, STD SUPERECT
2,800:¥2.1922
参考库存:24583
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