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分立半导体
SIHP18N60E-GE3参考图片

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SIHP18N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
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库存:24,055(价格仅供参考)
数量单价合计
1,000
¥12.0684
12068.4
2,000
¥11.4469
22893.8
5,000
¥11.0627
55313.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
176 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
46 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
179 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
产品
Triacs
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
51 ns
典型接通延迟时间
17 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,SIHP18N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
1:¥4.5313
10:¥3.4917
100:¥2.599
500:¥2.1357
1,500:¥1.5029
4,500:查看
参考库存:8235
分立半导体
整流器 UFR,FRR
1:¥94.6714
10:¥86.0608
25:¥79.6085
50:¥75.3032
参考库存:2319
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Vr/30V Io/1A T/R
1:¥2.0792
100:¥1.5933
500:¥1.2317
1,000:¥1.09158
5,000:¥0.92999
参考库存:3443
分立半导体
分立半导体模块 300A,600V,FRED Modules, F3 Package
1:¥276.624
5:¥262.4877
10:¥255.8772
25:¥235.1304
参考库存:2251
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - Mosfet
1:¥2,148.1413
5:¥2,095.2008
10:¥2,044.7915
25:¥1,970.4036
参考库存:2246
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