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分立半导体
SQJ910AEP-T2_GE3参考图片

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SQJ910AEP-T2_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
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数量单价合计
3,000
¥3.616
10848
6,000
¥3.4239
20543.4
9,000
¥3.2996
29696.4
24,000
¥3.1979
76749.6
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
39 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
48 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
72 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
优势价格，SQJ910AEP-T2_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STL34N65M5
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-channel 650 V, 0.99 Ohm typ., 22.5 A, MDmesh M5 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV
1:¥47.5617
10:¥43.0304
25:¥41.0303
100:¥35.5724
3,000:¥26.0465
参考库存:26805
VS-VSKT430-20PBF
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 2000volt 430amp
1:¥3,917.9134
5:¥3,869.3573
10:¥3,772.7649
参考库存:26808
IPD046N08N5ATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥14.9838
10:¥12.7577
100:¥10.2152
500:¥8.9157
2,500:¥6.9043
5,000:查看
参考库存:7171
VS-VSKD166/08PBF
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 800 Volt 165 Amp
1:¥479.1765
5:¥470.3399
10:¥450.9717
25:¥436.8354
参考库存:4688
AUIRFZ44VZS
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 12mOhms
1:¥17.9783
10:¥15.2889
100:¥12.2153
500:¥10.6785
参考库存:26815
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