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分立半导体
SIHFS9N60A-GE3参考图片

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SIHFS9N60A-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds TO-263 D2PAK
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库存：36,562(价格仅供参考)
数量单价合计
1,000
¥7.684
7684
2,000
¥7.1642
14328.4
5,000
¥6.9043
34521.5
10,000
¥6.6444
66444
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
9.2 A
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
49 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
170 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
SIHFS
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
5.5 S
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格，SIHFS9N60A-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZXTN2010ZQTA
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
参考库存:4669
BSS314PE H6327
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
1:¥3.616
10:¥2.3391
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:3984
STGF19NC60HD
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 晶体管 N-CHANNEL MFT
1:¥16.4415
10:¥13.9894
100:¥11.2209
500:¥9.7632
参考库存:4092
MMBZ5236BS-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 7.5V 200mW
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:5565
IKW40N65H5FKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥34.578
10:¥29.3574
100:¥25.4363
250:¥24.1255
500:¥21.6734
参考库存:3756
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