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分立半导体
DMN3009SFGQ-13参考图片

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DMN3009SFGQ-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
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数量单价合计
3,000
¥3.2431
9729.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
45 A
Rds On-漏源导通电阻
5.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
42 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
14.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.1 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
3.9 ns
单位重量
72 mg
商品其它信息
优势价格，DMN3009SFGQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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