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分立半导体

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DMN2990UFO-7B

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数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.486
24.86
100
¥1.356
135.6
1,000
¥1.01474
1014.74
2,500
¥0.87575
2189.375
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X2-DFN0604-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
750 mA
Rds On-漏源导通电阻
500 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
410 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
840 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.4 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns
单位重量
1 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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13,000:¥1.7176
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参考库存:26099
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