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分立半导体
DMP2006UFGQ-13参考图片

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DMP2006UFGQ-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 20V P-CH Enhance Mode
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3,000
¥2.9945
8983.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
5.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
200 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
41 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
104 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
146 ns
典型接通延迟时间
9.1 ns
单位重量
30 mg
商品其它信息
优势价格，DMP2006UFGQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SHVM15
Semtech
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JAN1N4969CUS
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分立半导体
稳压二极管
100:¥167.6694
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500:¥146.4593
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JANTXV1N4131D-1
Microsemi
分立半导体
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100:¥193.7159
250:¥177.7264
500:¥169.2062
参考库存:26389
JANTXV1N3044D-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥243.5037
200:¥223.4462
参考库存:26392
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