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DMN1008UFDF-13

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¥0.87575
8757.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
12.2 A
Rds On-漏源导通电阻
6.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
13.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标
Diodes Incorporated
下降时间
7.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.6 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17.5 ns
典型接通延迟时间
3.5 ns
商品其它信息
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