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分立半导体
DMPH4025SFVWQ-13参考图片

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DMPH4025SFVWQ-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
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数量单价合计
3,000
¥2.7685
8305.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
38.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
35.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72.2 ns
典型接通延迟时间
4.8 ns
单位重量
72 mg
商品其它信息
优势价格,DMPH4025SFVWQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Std Rectifier
100:¥214.3045
250:¥196.7104
参考库存:27641
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
7,500:¥1.2317
10,000:¥1.1413
25,000:¥1.08367
50,000:¥1.05994
参考库存:21698
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1,000:¥1.2091
5,000:¥1.2091
参考库存:27646
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥34.2729
10:¥30.5778
25:¥27.5042
50:¥26.2838
参考库存:27649
分立半导体
IGBT 晶体管 Power Module - Lead Free
1:¥24.3628
10:¥21.7412
25:¥19.5942
50:¥18.6676
参考库存:27652
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