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分立半导体
MG12300D-BN3MM参考图片

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MG12300D-BN3MM

  • Littelfuse
  • 新批次
  • IGBT 模块 1200V 300A Dual 150TVj
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库存:25,844(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,382.6567
1382.6567
5
¥1,349.3895
6746.9475
10
¥1,315.885
13158.85
25
¥1,297.4434
32436.085
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Littelfuse
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
3.2 V
在25 C的连续集电极电流
450 A
栅极—射极漏泄电流
400 uA
Pd-功率耗散
1450 W
封装 / 箱体
Package D
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Bulk
系列
Dual IGBT
商标
Littelfuse
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
60
子类别
IGBTs
单位重量
320 g
商品其它信息
优势价格,MG12300D-BN3MM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET
1:¥49.0194
10:¥41.6518
100:¥36.1148
250:¥34.2729
参考库存:1568
分立半导体
双向可控硅 25A BTA UL1557 Cert 4/3 Quadrant Triac
1:¥21.2101
10:¥17.9783
100:¥15.594
250:¥14.8256
1,000:¥11.2209
2,000:查看
参考库存:5727
分立半导体
MOSFET N-Ch 200V 84A TO220-3
1:¥46.6464
10:¥39.6517
100:¥34.352
250:¥32.5779
参考库存:5495
分立半导体
MOSFET N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
1:¥6.9947
10:¥5.8421
100:¥3.7629
1,000:¥3.0171
5,000:¥3.0171
参考库存:19021
分立半导体
MOSFET Small-signal MOSFET ID: 2A, VDSS: 40V
1:¥3.5369
10:¥2.3504
100:¥1.3108
1,000:¥0.9605
10,000:¥0.77631
20,000:查看
参考库存:5752
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