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分立半导体
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FMMTL619TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
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数量单价合计
3,000
¥1.01474
3044.22
9,000
¥0.95259
8573.31
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
195 mV
最大直流电集电极电流
1.25 A
增益带宽产品fT
180 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FMMTL
直流电流增益 hFE 最大值
450 at 200 mA, 5 V
高度
1 mm
长度
3.05 mm
封装
Reel
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
1.25 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
30 at 2 A, 5 V
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，FMMTL619TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N5221B-B
Rectron
分立半导体
稳压二极管 500mW 2.4V 5%
28,000:¥0.15368
参考库存:51131
STGWT30H60DFB
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
1:¥24.747
10:¥21.0519
100:¥18.2156
250:¥17.289
参考库存:3947
STTH1R02QRL
STMicroelectronics
分立半导体
整流器 Recovery Diode Ultra Fast
1:¥2.7685
10:¥2.0566
100:¥1.12209
1,000:¥0.83733
6,000:¥0.67574
24,000:查看
参考库存:15317
STGW40H65DFB
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 晶体管 600V 40A trench gate field-stop IGBT
1:¥29.4252
10:¥25.0521
100:¥21.6734
250:¥20.5886
参考库存:3951
1PMT5947B/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
12,000:¥10.8367
参考库存:51140
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