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分立半导体
IPI65R190CFDXKSA2参考图片

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IPI65R190CFDXKSA2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
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库存：24,550(价格仅供参考)
数量单价合计
500
¥14.2154
7107.7
1,000
¥11.9893
11989.3
2,500
¥11.3678
28419.5
5,000
¥10.9836
54918
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
17.5 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
68 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
151 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
系列
CFD2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
6.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.4 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
53.2 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPI65R190CFD
商品其它信息
优势价格，IPI65R190CFDXKSA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRLB8314PBF
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET TRENCH_MOSFETS
1:¥6.3054
10:¥5.4353
100:¥4.1697
500:¥3.6838
1,000:¥2.9154
参考库存:2192
ZMY6V2-GS18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 6.2 Volt 1 Watt 10%
1:¥4.4522
10:¥2.5764
100:¥1.5029
500:¥1.2204
5,000:¥0.77631
10,000:查看
参考库存:7683
DMN2050LFDB-7
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET DUAL N-CH EH MODE 20V 45mOhm 4.5A
1:¥3.842
10:¥2.9832
100:¥1.6159
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.04525
9,000:¥0.97632
参考库存:4159
BDX53C
STMicroelectronics
分立半导体
达林顿晶体管 NPN Power Darlington
1:¥7.7631
10:¥6.6331
100:¥5.0963
500:¥4.4974
参考库存:3153
BC847DS,115
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥1.8871
100:¥0.81473
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:7622
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