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分立半导体
CSD17556Q5BT参考图片

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CSD17556Q5BT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
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库存：23,973(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥13.5261
3381.525
500
¥11.8311
5915.55
1,000
¥9.831
9831
2,500
¥9.1417
22854.25
5,000
¥8.8366
44183
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.15 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
39 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
191 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD17556Q5B
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
197 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
14 ns
商品其它信息
优势价格，CSD17556Q5BT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UF3007-G
Comchip Technology
分立半导体
整流器 800V, 3A
1:¥3.842
10:¥2.5199
100:¥1.5481
1,200:¥1.02943
2,400:¥0.88366
参考库存:4082
RS1MLW RVG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A, 1000V SM Fast Recovery 整流器
1:¥3.4578
10:¥3.1527
100:¥2.0566
1,000:¥0.68365
3,000:¥0.56839
参考库存:14694
S2D R5
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1.5A 200V
1:¥4.1471
10:¥2.9945
100:¥1.7515
500:¥0.82264
850:¥0.73789
参考库存:2916
CZRZ5V1B-HF
Comchip Technology
分立半导体
稳压二极管 100mW 5.1V
1:¥4.0002
10:¥2.2261
100:¥1.05994
1,000:¥0.72998
10,000:¥0.49155
20,000:查看
参考库存:22788
B0540W-TP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
肖特基二极管与整流器 0.5A,40V,Schottky,SOD-123 Package
1:¥3.1527
10:¥1.7515
100:¥0.9379
500:¥0.75258
3,000:¥0.43844
9,000:查看
参考库存:3869
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