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NAND闪存
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TH58DVG5S0ETA2

  • Toshiba Memory
  • 新批次
  • NAND闪存 32Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
NAND闪存
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-48
存储容量
32 Gbit
接口类型
Parallel
组织
4 G x 8
定时类型
Synchronous
数据总线宽度
8 bit
电源电压-最小
2.7 V
电源电压-最大
3.6 V
电源电流—最大值
30 mA
最小工作温度
0 C
最大工作温度
+ 70 C
封装
Tray
存储类型
NAND
产品
NAND Flash
速度
25 ns
结构
Block Erase
商标
Toshiba Memory
最大时钟频率
-
湿度敏感性
Yes
产品类型
NAND Flash
工厂包装数量
96
子类别
Memory & Data Storage
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TH58BVG2S3HTA00
Toshiba Memory
NAND闪存
NAND闪存 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
1:¥39.4144
10:¥36.0357
25:¥35.3464
50:¥35.0413
参考库存:1720
S99MS01G10029
Cypress Semiconductor
NAND闪存
NAND闪存 Nand
1:¥51.0986
10:¥46.7933
25:¥42.5671
50:¥40.567
参考库存:29191
MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G TR
Micron
NAND闪存
NAND闪存 MLC 64G 8GX8 VBGA
1,000:¥68.5458
参考库存:29194
40060553
Cypress Semiconductor
NAND闪存
NAND闪存 NAND
260:¥32.8152
520:¥26.5889
1,040:¥24.8148
2,600:¥23.5944
参考库存:29197
S34ML02G200TFB003
Cypress Semiconductor
NAND闪存
NAND闪存 Nand
1,000:¥42.7253
2,000:¥41.1885
参考库存:29200
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