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NAND闪存
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TH58NYG3S0HBAI4

  • Toshiba Memory
  • 新批次
  • NAND闪存 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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¥66.0824
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10
¥60.8618
608.618
25
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1488.775
50
¥59.325
2966.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
NAND闪存
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TFBGA-63
存储容量
8 Gbit
接口类型
Parallel
组织
1 G x 8
定时类型
Synchronous
数据总线宽度
8 bit
电源电压-最小
1.7 V
电源电压-最大
1.95 V
电源电流—最大值
30 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Tray
存储类型
NAND
商标
Toshiba Memory
湿度敏感性
Yes
产品类型
NAND Flash
工厂包装数量
210
子类别
Memory & Data Storage
商品其它信息
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