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NAND闪存
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TH58NYG2S3HBAI4

  • Toshiba Memory
  • 新批次
  • NAND闪存 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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数量单价合计
1
¥41.0303
41.0303
10
¥37.4256
374.256
25
¥36.725
918.125
50
¥36.499
1824.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
NAND闪存
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TFBGA-63
存储容量
4 Gbit
接口类型
Parallel
组织
512 M x 8
定时类型
Synchronous
数据总线宽度
8 bit
电源电压-最小
1.7 V
电源电压-最大
1.95 V
电源电流—最大值
30 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Tray
存储类型
NAND
产品
NAND Flash
速度
25 ns
结构
Block Erase
商标
Toshiba Memory
最大时钟频率
-
湿度敏感性
Yes
产品类型
NAND Flash
工厂包装数量
210
子类别
Memory & Data Storage
商品其它信息
优势价格，TH58NYG2S3HBAI4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
W29N04GZBIBF TR
Winbond
NAND闪存
NAND闪存 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, x8
2,500:¥42.3411
参考库存:28911
S34ML01G200BHB000
Cypress Semiconductor
NAND闪存
NAND闪存 Nand
1:¥38.2618
10:¥34.1938
25:¥30.8151
100:¥28.0466
参考库存:1271
S34SL01G200BHI000
Cypress Semiconductor
NAND闪存
NAND闪存 1GB SECURE NAND FLASH
210:¥38.2618
420:¥34.578
630:¥27.9675
1,050:¥26.1256
参考库存:28916
MT29F64G08CBCGBSX-37B:G
Micron
NAND闪存
NAND闪存 MLC 64G 8GX8 FBGA
1,260:¥59.3928
参考库存:28919
MT29F4G08ABAFAWP-AAT:F TR
Micron
NAND闪存
NAND闪存 SLC 4G 512MX8 TSOP
1,000:¥33.5045
2,000:¥32.431
参考库存:28922
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