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NAND闪存
TH58BYG2S3HBAI4参考图片

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TH58BYG2S3HBAI4

  • Toshiba Memory
  • 新批次
  • NAND闪存 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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库存:1,980(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥59.551
59.551
10
¥53.6298
536.298
25
¥48.8725
1221.8125
100
¥44.1039
4410.39
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
NAND闪存
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TFBGA-63
存储容量
4 Gbit
接口类型
Parallel
组织
512 M x 8
数据总线宽度
8 bit
电源电压-最小
1.7 V
电源电压-最大
1.95 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Tray
存储类型
NAND
产品
NAND Flash
商标
Toshiba Memory
湿度敏感性
Yes
产品类型
NAND Flash
工厂包装数量
210
子类别
Memory & Data Storage
商品其它信息
优势价格,TH58BYG2S3HBAI4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NAND闪存
NAND闪存 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
1:¥64.5456
10:¥59.3928
25:¥58.1724
50:¥58.0142
参考库存:2349
NAND闪存
NAND闪存 Nand
1:¥48.7143
10:¥44.6463
25:¥40.567
50:¥38.646
参考库存:2283
NAND闪存
NAND闪存 8G 3V 25ns NAND闪存
1:¥138.1538
5:¥134.8542
10:¥130.7071
25:¥128.7861
1,000:¥99.5078
参考库存:30110
NAND闪存
NAND闪存
1,120:¥171.195
参考库存:30113
NAND闪存
NAND闪存 Nand
1,000:¥26.3516
2,000:¥25.3572
参考库存:30116
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